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Pro-Elektron-Schlüssel: Unterschied zwischen den Versionen

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Der '''Pro-Elektron-Schlüssel''' ist ein europäisches Bezeichnungssystem für [[Halbleiter]]-Bauelemente, das diese zugleich grob kategorisiert, so dass sich anhand der Bezeichnung erkennen lässt, um was für eine Art von Halbleiter-Bauelement es sich jeweils handelt.
Der '''Pro-Elektron-Schlüssel''' ist ein europäisches Bezeichnungssystem für [[Halbleiter]]-Bauelemente, das diese zugleich grob kategorisiert, so dass sich anhand der Bezeichnung erkennen lässt, um was für eine Art von Halbleiter-Bauelement es sich jeweils handelt.
==Ursprünge==
==Ursprünge==
Bei Elektronenröhren hatte sich in Europa ein Kennzeichnungssystem etabliert, bei dem am ersten Buchstaben die Heizdaten (z.B. "E" für 6,3 Volt Parallelheizung oder "P" für 300 mA Serienheizung) und am zweiten der Systemaufbau (z.B. "A" für Diode und "C" für Triode) erkennbar waren. Viele Hersteller griffen zu Beginn der Dioden- und Transistorproduktion dieses System auf. Man verwendete hier wegen des fast gleichen Aussehens, wie die Ziffer Null, den Buchstaben O, was den Wert ''Null'' für die erforderliche Heizleistung bei Halbleiterdioden und Transistoren symbolisieren sollte. Als zweiten Buchstaben übernahm man das "A" für Dioden von den Röhren und verwendete analog zu den Trioden wegen einer gewissen Ähnlichkeit das "C" für Transistoren. Mit dem Aufkommen von Silliziumtransistoren und diversen neuen Arten von Halbleiterbauelementen, wie z.B. Varaktoren, Thyristoren und Z-Dioden, erwies sich das von den Röhren übernommene Bezeichnungssystem als nicht mehr zeitgemäß, zumal die Null am Beginn für Halbleiterbauelemente keinerlei Informationswert besitzt, da hier generell keine Heizleistung verbraucht wird. Die Hersteller von Halbleiterbauelementen führten ein geeigneteres Kennzeichnungssystem ein, welches den Namen ''Pro-Elektron-Schlüssel'' (bzw. Pro-Elektron-Typschlüssel) erhielt.
Bei [[Elektronenröhre|Elektronenröhren]] hatte sich in Europa schon vor dem [[Zweiter Weltkrieg|zweiten Weltkrieg]] ein Kennzeichnungssystem etabliert, bei dem am ersten Buchstaben die Heizdaten (z.B. "E" für 6,3 Volt Parallelheizung oder "P" für 300 mA Serienheizung) und am zweiten der Systemaufbau (z.B. "A" für Diode und "C" für Triode) erkennbar waren. Viele Hersteller griffen zu Beginn der Dioden- und Transistorproduktion dieses System auf. Man verwendete hier wegen des mit der Ziffer Null fast gleichen Aussehens den Buchstaben "O", was den Wert ''Null'' für die erforderliche Heizleistung bei Halbleiterdioden und Transistoren symbolisieren sollte. Als zweiten Buchstaben übernahm man das "A" für Dioden von den Röhren und verwendete analog zu den Trioden wegen einer gewissen Ähnlichkeit in der Schaltungstechnik das "C" für Transistoren (z.B. OC44). Die etwas später erscheinenden Leistungstransistoren erhielten prinzipgerecht den ursprünglich für Leistungstrioden vorgesehenen zweiten Buchstaben "D". Mit dem Aufkommen von Silliziumtransistoren und diversen neuen Arten von Halbleiterbauelementen, wie z.B. Varaktoren, Thyristoren und Z-Dioden, erwies sich das von den Röhren übernommene Bezeichnungssystem als nicht mehr zeitgemäß, zumal die Null am Beginn für Halbleiterbauelemente keinerlei Informationswert besitzt, da hier generell keine Heizleistung verbraucht wird. Die Hersteller von Halbleiterbauelementen führten daher ein geeigneteres Kennzeichnungssystem ein, welches den Namen ''Pro-Elektron-Schlüssel'' (bzw. Pro-Elektron-Typschlüssel) erhielt.
 
==Aufweichung des Systems==
==Aufweichung des Systems==
Auch wenn heute noch diverse Typen von Halbleiterbauelementen hergestellt werden, die nach dem Pro-Elektron-Schlüssel gekennzeichnet sind, wurde seine Verwendung als Standard mehr und mehr verlassen. Dies hatte zunächst oft marktstrategische Gründe. Beispielsweise erkannte man beim Transistor [[2N3055]] mit seinen damals herausragenden Leistungsdaten, dass zu seinem Erfolg in Europa nicht zuletzt auch seine vom Pro-Elektron-Schlüssel abweichende Bezeichnung nach US-amerikanischen Schema beitrug. Neue Bauelemente mit mehr oder weniger besonderen Eigenschaften gab man immer häufiger Kennzeichnungen außerhalb des Pro-Elektron-Systems, um einen größeren Wiedererkennungswert dieser Bauelemente in an Entwickler gerichteten Applikationsschaltungen zu erzielen. So konnten Marktvorteile gegenüber von gleich- oder sogar hochwertigeren Bauelementen erreicht werden, die in den Auflistungen nach dem Pro-Elektron-System gekennzeichneter Teile nur wenig auffielen. Durch die Entwicklung neuer Bauelementeformen, wie z.B. spezielle Bauelemente in [[MOS-Technologie]] und [[Integrierte Schaltung|integrierte Techniken]], die im Pro-Elektron-System noch nicht berücksichtigt waren, konnten dem Stand der Technik entsprechende Halbleiterbauelemente immer häufiger gar nicht mehr nach diesem Schlüsselsystem gekennzeichnet werden. Inzwischen werden infolge der [[Globalisierung]] Halbleiterbauelemente unterschiedlichster Herkunft verwendet, so dass in einem Gerät oft nebeneinander diverse Kennzeichnungssysteme zu finden sind. Am verbreitesten sind dabei das japanische System (z.B. 2SA..., 2SB..., 2SC... und 2SD... für Transistoren), das schon erwähnte US-amerikanische System (z.B. 1N... für Dioden und 2N... für Transistoren) und eben das Pro-Elektron-System sowie diverse herstellerinterne Schlüssel.
Auch wenn heute noch diverse Typen von Halbleiterbauelementen hergestellt werden, die nach dem Pro-Elektron-Schlüssel gekennzeichnet sind, wurde seine Verwendung als Standard mehr und mehr verlassen. Dies hatte zunächst oft marktstrategische Gründe. Beispielsweise erkannte man beim Transistor [[2N3055]] mit seinen damals herausragenden Leistungsdaten, dass zu seinem Erfolg in Europa nicht zuletzt auch seine vom Pro-Elektron-Schlüssel abweichende Bezeichnung nach US-amerikanischen Schema beitrug. Neue Bauelemente mit mehr oder weniger besonderen Eigenschaften gab man immer häufiger Kennzeichnungen außerhalb des Pro-Elektron-Systems, um einen größeren Wiedererkennungswert dieser Bauelemente in an Entwickler gerichteten Applikationsschaltungen zu erzielen. So konnten Marktvorteile gegenüber von gleich- oder sogar hochwertigeren Bauelementen erreicht werden, die in den Auflistungen nach dem Pro-Elektron-System gekennzeichneter Teile nur wenig auffielen. Durch die Entwicklung neuer Bauelementeformen, wie z.B. spezielle Bauelemente in [[MOS-Technologie]] und [[Integrierte Schaltung|integrierte Techniken]], die im Pro-Elektron-System noch nicht berücksichtigt waren, konnten dem Stand der Technik entsprechende Halbleiterbauelemente immer häufiger gar nicht mehr nach diesem Schlüsselsystem gekennzeichnet werden. Inzwischen werden infolge der [[Globalisierung]] Halbleiterbauelemente unterschiedlichster Herkunft verwendet, so dass in einem Gerät oft nebeneinander diverse Kennzeichnungssysteme zu finden sind. Am verbreitesten sind dabei das japanische System (z.B. 2SA..., 2SB..., 2SC... und 2SD... für Transistoren), das schon erwähnte US-amerikanische System (z.B. 1N... für Dioden und 2N... für Transistoren) und eben das Pro-Elektron-System sowie diverse herstellerinterne Schlüssel.

Version vom 23. Januar 2011, 17:19 Uhr

Der Pro-Elektron-Schlüssel ist ein europäisches Bezeichnungssystem für Halbleiter-Bauelemente, das diese zugleich grob kategorisiert, so dass sich anhand der Bezeichnung erkennen lässt, um was für eine Art von Halbleiter-Bauelement es sich jeweils handelt.

Ursprünge

Bei Elektronenröhren hatte sich in Europa schon vor dem zweiten Weltkrieg ein Kennzeichnungssystem etabliert, bei dem am ersten Buchstaben die Heizdaten (z.B. "E" für 6,3 Volt Parallelheizung oder "P" für 300 mA Serienheizung) und am zweiten der Systemaufbau (z.B. "A" für Diode und "C" für Triode) erkennbar waren. Viele Hersteller griffen zu Beginn der Dioden- und Transistorproduktion dieses System auf. Man verwendete hier wegen des mit der Ziffer Null fast gleichen Aussehens den Buchstaben "O", was den Wert Null für die erforderliche Heizleistung bei Halbleiterdioden und Transistoren symbolisieren sollte. Als zweiten Buchstaben übernahm man das "A" für Dioden von den Röhren und verwendete analog zu den Trioden wegen einer gewissen Ähnlichkeit in der Schaltungstechnik das "C" für Transistoren (z.B. OC44). Die etwas später erscheinenden Leistungstransistoren erhielten prinzipgerecht den ursprünglich für Leistungstrioden vorgesehenen zweiten Buchstaben "D". Mit dem Aufkommen von Silliziumtransistoren und diversen neuen Arten von Halbleiterbauelementen, wie z.B. Varaktoren, Thyristoren und Z-Dioden, erwies sich das von den Röhren übernommene Bezeichnungssystem als nicht mehr zeitgemäß, zumal die Null am Beginn für Halbleiterbauelemente keinerlei Informationswert besitzt, da hier generell keine Heizleistung verbraucht wird. Die Hersteller von Halbleiterbauelementen führten daher ein geeigneteres Kennzeichnungssystem ein, welches den Namen Pro-Elektron-Schlüssel (bzw. Pro-Elektron-Typschlüssel) erhielt.

Aufweichung des Systems

Auch wenn heute noch diverse Typen von Halbleiterbauelementen hergestellt werden, die nach dem Pro-Elektron-Schlüssel gekennzeichnet sind, wurde seine Verwendung als Standard mehr und mehr verlassen. Dies hatte zunächst oft marktstrategische Gründe. Beispielsweise erkannte man beim Transistor 2N3055 mit seinen damals herausragenden Leistungsdaten, dass zu seinem Erfolg in Europa nicht zuletzt auch seine vom Pro-Elektron-Schlüssel abweichende Bezeichnung nach US-amerikanischen Schema beitrug. Neue Bauelemente mit mehr oder weniger besonderen Eigenschaften gab man immer häufiger Kennzeichnungen außerhalb des Pro-Elektron-Systems, um einen größeren Wiedererkennungswert dieser Bauelemente in an Entwickler gerichteten Applikationsschaltungen zu erzielen. So konnten Marktvorteile gegenüber von gleich- oder sogar hochwertigeren Bauelementen erreicht werden, die in den Auflistungen nach dem Pro-Elektron-System gekennzeichneter Teile nur wenig auffielen. Durch die Entwicklung neuer Bauelementeformen, wie z.B. spezielle Bauelemente in MOS-Technologie und integrierte Techniken, die im Pro-Elektron-System noch nicht berücksichtigt waren, konnten dem Stand der Technik entsprechende Halbleiterbauelemente immer häufiger gar nicht mehr nach diesem Schlüsselsystem gekennzeichnet werden. Inzwischen werden infolge der Globalisierung Halbleiterbauelemente unterschiedlichster Herkunft verwendet, so dass in einem Gerät oft nebeneinander diverse Kennzeichnungssysteme zu finden sind. Am verbreitesten sind dabei das japanische System (z.B. 2SA..., 2SB..., 2SC... und 2SD... für Transistoren), das schon erwähnte US-amerikanische System (z.B. 1N... für Dioden und 2N... für Transistoren) und eben das Pro-Elektron-System sowie diverse herstellerinterne Schlüssel.

Das Prinzip

Erster Buchstabe

Der erste Zeichen ist beim Pro-Elektron-Schlüssel immer ein Buchstabe. Dieser gibt über das verwendete Ausgangsmaterial bzw. den grundsätzlichen Aufbau Aufschluss:

Zweiter Buchstabe

Auch das zweite Zeichen ist immer ein Buchstabe. Aus diesem lässt sich genauer ablesen, um was für eine Art von Bauelement es sich handelt:

  • A: Diode
  • B: Varikap / Varaktor
  • C: Niederfrequenz-Kleinsignal-Transistor
  • D: Niederfrequenz-Leistungs-Transistor
  • E: Esaki- bzw. Tunneldiode
  • F: Hochfrequenz-Kleinsignal-Transistor
  • L: Hochfrequenz-Leistungs-Transistor
  • P: Lichtempfindliche Bauelemente
  • Q: Lichtaussendende Bauelemente
  • R: Kleinleistungs-Schalterelement (z.B. Thyristor)
  • S: Kleinleistungs-Schalttransistor
  • T: Leistungs-Schalterelement (z.B. Thyristor)
  • U: Leistungs-Schalttransistor
  • V: Leistungs-Diode
  • Z: Z-Diode

Drittes Zeichen

Das dritte Zeichen kann eine Ziffer oder ein Buchstabe sein. Ziffern sind für Bauelemente der Konsum- bzw. Unterhaltungselektronik vorgesehen, Buchstaben für Bauelemente für kommerzielle bzw. industrielle Zwecke.

Viertes und fünftes Zeichen

Als viertes und fünftes Zeichen werden grundsätzlich Ziffern verwendet, die der fortlaufenden Nummerierung dienen.

Ergänzungen

Es sind Ergänzungen in Form von Buchstaben und Zahlen üblich. Bei Kleinsignaltransistoren läßt sich an solchen Buchstaben (A, B oder C) zumeist der Bereich der zu erwartenden Stromverstärkung ablesen, bei Leistungstransistoren die maximale Sperrspannung (hier ggf. auch D). Bei Transistoren mittlerer Leistung geben die Zusätze "-6", "-10", "-16" oder "-25" die Stromverstärkungs-Gruppe an.

Beispiele

BF254: Hochfrequenz-Kleinsignaltransistor für Konsum- bzw. Unterhaltungselektronik (z.B. Radios)
BC548B: Niederfrequenz-Kleinsignaltransistor für Konsum- bzw. Unterhaltungselektronik (z.B. Stereo-Verstärker), mittlere Stromverstärkung
BD249C: Niederfrequenz-Leistungstransistor für Konsum- bzw. Unterhaltungselektronik (z.B. Stereo-Verstärker), höhere Sperrspannung
BLY88: Hochfrequenz-Leistungstransistor für kommerzielle bzw. industrielle Zwecke (z.B. Sender in Betriebsfunkgeräten)
BRY39: Kleinleistungs-Thyristor für kommerzielle bzw. industrielle Zwecke (z.B. Zeitschalter bzw. Zeitrelais)

Quellen

Literatur

  • Ernst Pfau: Zauberreich der Elektronen, 1972, Hobby-Bücherei
  • Zeitschrift Elektor, Jahrgänge 1970-1974

Weblinks

Andere Lexika

Wikipedia kennt dieses Lemma (Pro-Elektron-Schlüssel) vermutlich nicht.