Complementary Metal-Oxide-Semiconductor

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, kurz CMOS, ist die Bezeichnung für ein elektrisches Bauelement aus Halbleitern, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, kurz MOSFETs, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur NMOS-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen Chip aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen PMOS-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in ICs integrieren als ein elektrischer Widerstand. Seit 2008 wird vornehmlich Silizium eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.^[1] Die Technik wurde 1963 von Frank Wanlass beim Halbleiterhersteller Fairchild Semiconductor entwickelt und auch patentiert.^[2]^[3]

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Complementary Metal-Oxide-Semiconductor bei Wikipedia (Erste Wikipedia-Version)

↑ https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
↑ Frank Wanlass, Chih-Tang Sah: Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes. In: 1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers. Vol. 6, 1963.
↑ Patent V-Nr=3356858: Low stand-by power complementary field effect circuitry, Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmeldet Datum: 1963-06-18}}

[1] ttps://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

[2] Frank Wanlass, Chih-Tang Sah: Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes. In: 1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers. Vol. 6, 1963.

[3] Patent V-Nr=3356858: Low stand-by power complementary field effect circuitry, Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmeldet Datum: 1963-06-18}}

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