PlusPedia wird derzeit technisch modernisiert. Wie alles, was bei laufendem Betrieb bearbeitet wird, kann es auch hier zu zeitweisen Ausfällen bestimmter Funktionen kommen. Es sind aber alle Artikel zugänglich, Sie können PlusPedia genauso nutzen wie immer.
Bei PlusPedia sind Sie sicher: – Wir verarbeiten keine personenbezogenen Daten, erlauben umfassend anonyme Mitarbeit und erfüllen die Datenschutz-Grundverordnung (DSGVO) vollumfänglich. Es haftet der Vorsitzende des Trägervereins.
Bitte beachten: Aktuell können sich keine neuen Benutzer registrieren. Wir beheben das Problem so schnell wie möglich.
PlusPedia blüht wieder auf als freundliches deutsches Lexikon.
Wir haben auf die neue Version 1.43.3 aktualisiert.
Wir haben SSL aktiviert.
Hier geht es zu den aktuellen Aktuelle Ereignissen
Hinweis zur Passwortsicherheit:
Bitte nutzen Sie Ihr PlusPedia-Passwort nur bei PlusPedia.
Wenn Sie Ihr PlusPedia-Passwort andernorts nutzen, ändern Sie es bitte DORT bis unsere Modernisierung abgeschlossen ist.
Überall wo es sensibel, sollte man generell immer unterschiedliche Passworte verwenden! Das gilt hier und im gesamten Internet.
Aus Gründen der Sicherheit (PlusPedia hatte bis 24.07.2025 kein SSL | https://)
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor: Unterschied zwischen den Versionen
Keine Bearbeitungszusammenfassung |
Keine Bearbeitungszusammenfassung |
||
| Zeile 1: | Zeile 1: | ||
'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur |Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah |Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes |Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers |Band=Vol. 6 |Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18 | '''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur |Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah |Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes |Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers |Band=Vol. 6 |Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Interest-Verlag, Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref> | ||
{{PPA-Kupfer|Link=CMOS}} | {{PPA-Kupfer|Link=CMOS}} | ||
Version vom 12. August 2025, 14:55 Uhr
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, kurz CMOS, ist die Bezeichnung für ein elektrisches Bauelement aus Halbleitern, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, kurz MOSFETs, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur NMOS-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen Chip aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen PMOS-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in ICs integrieren als ein elektrischer Widerstand. Die Technik wurde 1963 von Frank Wanlass beim Halbleiterhersteller Fairchild Semiconductor entwickelt und auch patentiert.[1][2] Im Laufe der Zeit bewährten sich Silizium und seine Verbindungen als Halbleiter und Isolator, die Firma Texas Instruments ließ sogar LinCMOS in den 1980er Jahren als Warenzeichen eintragen.[3] Seit 2008 wird vornehmlich Silizium eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.[4]
Andere Lexika
Einzelnachweise
- ↑ Frank Wanlass, Chih-Tang Sah: Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes. In: 1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers. Vol. 6, 1963.
- ↑ Patent V-Nr. 3356858: Low stand-by power complementary field effect circuitry, Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18
- ↑ Helmut Weidner: Aktuelles IC-Datenbuch, Interest-Verlag, Ausgabe 1996, Teil 4: Lineare integrierte Schaltungen, Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker
- ↑ https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor