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Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Transistor]]s oder [[Integrierter Schaltkreis|integrierten Schaltkreises]]. Dabei wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden: für die p-Dotierung kommen Elemente aus der dritten Hauptgruppe wie beispielsweise [[Bor]], [[Indium]], [[Aluminium]] oder [[Gallium]] und für n-Dotierung die Elemente aus der fünften Hauptgruppe wie beispielsweise [[Phosphor]], [[Arsen]] oder [[Antimon]] zum Einsatz. Die ''p-Dotierung'' verwendet Atome, die als [[Elektron]]en-Empfänger dienen und damit im Prinzip eine [[Anode]] bilden, während die ''n-Dotierung'' Elektronen-Geber nach dem Prinzip einer [[Kathode]] implantiert. Der Begriff p-Dotierung steht für die sogenannte freibewegliche ''positive Lücke'', kurz ''p'' auch Loch oder Defektelektron genannt, während ''n-Dotierung'' für negativ, kurz ''n'', also die | Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Transistor]]s oder [[Integrierter Schaltkreis|integrierten Schaltkreises]]. Dabei wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden: für die p-Dotierung kommen Elemente aus der dritten Hauptgruppe wie beispielsweise [[Bor]], [[Indium]], [[Aluminium]] oder [[Gallium]] und für n-Dotierung die Elemente aus der fünften Hauptgruppe wie beispielsweise [[Phosphor]], [[Arsen]] oder [[Antimon]] zum Einsatz. Die ''p-Dotierung'' verwendet Atome, die als [[Elektron]]en-Empfänger dienen und damit im Prinzip eine [[Anode]] bilden, während die ''n-Dotierung'' Elektronen-Geber nach dem Prinzip einer [[Kathode]] implantiert. Der Begriff p-Dotierung steht für die sogenannte freibewegliche ''positive Lücke'', kurz ''p'' auch Loch oder Defektelektron genannt, während ''n-Dotierung'' für negativ, kurz ''n'', also die elektrisch negativen Elektronen steht. | ||
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Aktuelle Version vom 1. November 2025, 16:43 Uhr
Eine Dotierung oder das Dotieren (von lat. dotare ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von Halbleitern das Einbringen von fremden Atom in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist Silizium - eines Transistors oder integrierten Schaltkreises. Dabei wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden: für die p-Dotierung kommen Elemente aus der dritten Hauptgruppe wie beispielsweise Bor, Indium, Aluminium oder Gallium und für n-Dotierung die Elemente aus der fünften Hauptgruppe wie beispielsweise Phosphor, Arsen oder Antimon zum Einsatz. Die p-Dotierung verwendet Atome, die als Elektronen-Empfänger dienen und damit im Prinzip eine Anode bilden, während die n-Dotierung Elektronen-Geber nach dem Prinzip einer Kathode implantiert. Der Begriff p-Dotierung steht für die sogenannte freibewegliche positive Lücke, kurz p auch Loch oder Defektelektron genannt, während n-Dotierung für negativ, kurz n, also die elektrisch negativen Elektronen steht.
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