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Complementary Metal-Oxide-Semiconductor: Unterschied zwischen den Versionen
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'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref> Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur |Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah |Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes |Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers |Band=Vol. 6 |Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr | '''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref> Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur |Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah |Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes |Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers |Band=Vol. 6 |Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18}}</ref> | ||
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Version vom 12. August 2025, 13:43 Uhr
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, kurz CMOS, ist die Bezeichnung für ein elektrisches Bauelement aus Halbleitern, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, kurz MOSFETs, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur NMOS-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen Chip aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen PMOS-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in ICs integrieren als ein elektrischer Widerstand. Seit 2008 wird vornehmlich Silizium eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.[1] Die Technik wurde 1963 von Frank Wanlass beim Halbleiterhersteller Fairchild Semiconductor entwickelt und auch patentiert.[2][3]
Andere Lexika
- ↑ https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
- ↑ Frank Wanlass, Chih-Tang Sah: Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes. In: 1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers. Vol. 6, 1963.
- ↑ Patent V-Nr. 3356858: Low stand-by power complementary field effect circuitry, Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18}}